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低溫SQUID放大器件

5 mm×5 mm的芯片分成 2.5 mm×5 mm兩部分，左邊為SQA11TES和SQB11TES設(shè)計，右邊為SQE11TES 設(shè)計。每個2.5 mm×5 mm設(shè)計包括 1×4 路 dc-SQUID 電流放大器，TES 串聯(lián)連接，通過“+R”和“-R”Pad 引入 TES 偏置信號?！?IN”和“-IN”Pad 用于和 TES 探測器連接，“+V”、“-V”、“+F”以及“-F”Pad 用于每一路 dc-SQUID 電流放大器偏置輸出和反饋。

產(chǎn)品詳情

參數(shù)

數(shù)值

芯片尺寸

2.5 mm×5.0 mm

Input Pad 尺寸

500 μm×475 μm Nb film

SQUID  偏置和反饋 Pad 尺寸

300 μm×200 μm Nb film

dc-SQUID 構(gòu)型

一階梯度/二階梯度

SQUID Loop inductance

110 pH

TES 偏置電阻

250 μΩ

加熱電阻

100 Ω

工作溫度

0~4.2 K

dc-SQUID 電流放大器 (T=4.2K)

器件名稱

SQA11TES

SQB11TES

SQE11TES

單位

臨界電流(2Ic)

18

18

18

 μA

去回滯電阻(Rn/2)

2

2

2

Ω

屏蔽參數(shù) ql

1.1

1.1

1.1


去回滯參數(shù) qc

0.35

0.35

0.35


電壓調(diào)制幅值

20

20

20


磁通電壓轉(zhuǎn)換系數(shù) V?

80

80

80

μV/Φ0

反饋互感(1/Mf)

9

8.5

45

μA/Φ0

輸入互感(1/Min )

9

8.5

9.5

μA/Φ0

調(diào)諧電感(nH)

30

30

30

nH

磁通噪聲(Φ0\√Hz) (@1kHz)

2

2

2

μΦ0\√Hz